买卖IC网 >> 产品目录 >> SIR401DP-T1-GE3 MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIR401DP-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III
SIR401DP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 - 20 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 - 50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 3.2 mOhms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIR401DP-T1-GE3
SIR402DP-T1-E3
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SIR404DP-T1-GE3
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深圳市佳芯恒业科技有限公司 0755-83353220 陈
  • SIR401DP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.698 1.698
    10 1.312 13.12
    100 1.16 116
    250 0.994 248.5
    3,000 0.552 1656
    6,000 0 0